改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁

　　大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键(j改造文章的祖师是谁 改造文章的祖师爷是谁iàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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